[发明专利]一种半极性、非极性GaN自支撑衬底的制备方法

摘要

本发明公开了一种半极性、非极性GaN自支撑衬底的制备方法。首先在不以（111）晶面为表面的Si衬底上用掩膜覆盖与湿法刻蚀的方法形成沟槽，暴露出Si(111)晶面中的一个或数个；然后用金属有机化学气象沉积法在Si衬底上生长一薄层半极性或非极性GaN，形成籽晶层；再用氢化物气相外延法继续生长GaN层，形成表面平整，高晶体质量的半极性、非极性GaN厚膜；最后将Si衬底剥离，形成半极性、非极性GaN自支撑衬底。该方法极大增加了半极性、非极性GaN自支撑衬底的尺寸，减少愈合处的位错，提高晶体质量，并且不需对GaN进行切割，简化了制备工艺。

主权项

一种半极性、非极性GaN自支撑衬底的制备方法，其特征在于：依次进行下列步骤：步骤1：用掩膜保护与湿法刻蚀的方法在不以(111)晶面为表面的Si衬底上形成沟槽，暴露出Si{111}晶面中的一个或数个；步骤2：用金属有机化学气象沉积法在Si衬底上依次生长AlN缓冲层(4)、GaN层(5)、应力调控层(6)，形成半极性或非极性GaN生长的籽晶层；步骤3：用氢化物气相外延法继续生长GaN厚膜(7)，GaN厚膜(7)厚度大于100微米。步骤4：将Si衬底剥离，形成半极性、非极性GaN自支撑衬底。