[发明专利]形成光刻图案的方法有效
申请号: | 201110108960.6 | 申请日: | 2011-03-07 |
公开(公告)号: | CN102338982A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 姜锡昊;C·科尔特 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/004;G03F7/038 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种形成光刻图案的方法。还提供涂覆的基板和通过该方法形成的电子器件。该方法在电子器件的制造中具有特殊用途。提供了一种形成光刻图案的方法,所述方法包括:(a)提供在其表面上具有一个或多个将被图案化的层的基板;(b)在该一个或多个将被图案化的层上施加光致抗蚀剂组合物层,该光致抗蚀剂组合物包括具有酸解离基团的树脂和光酸产生剂;(c)在光化辐射下图案化曝光该光致抗蚀剂组合物层;并且(d)在光致抗蚀剂组合物层上施加显影剂,其中光致抗蚀剂组合物层中的未曝光区域被显影剂去除,在一个或多个将被图案化的层上形成光致抗蚀剂图案,其中该显影剂包括2-庚酮和/或5-甲基-2-己酮。 | ||
搜索关键词: | 形成 光刻 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种形成光刻图案的方法,所述方法包括:(a)提供在其表面上具有一个或多个将被图案化的层的基板;(b)在该一个或多个将被图案化的层上施加光致抗蚀剂组合物层,该光致抗蚀剂组合物包括具有酸解离基团的树脂和光酸产生剂;(c)在光化辐射下图案化曝光该光致抗蚀剂组合物层;并且(d)在光致抗蚀剂组合物层上施加显影剂,其中光致抗蚀剂组合物层中的未曝光区域被显影剂去除,在一个或多个将被图案化的层上形成光致抗蚀剂图案,其中该显影剂包括2‑庚酮和/或5‑甲基‑2‑己酮。
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