[发明专利]一种偏置漂移主动纠正系统、方法及引线键合机有效
申请号: | 201110109136.2 | 申请日: | 2011-04-28 |
公开(公告)号: | CN102760678A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 于丽娜;王双全 | 申请(专利权)人: | 北京中电科电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/00;H01L21/60;H01L21/66 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;姜精斌 |
地址: | 100176 北京市北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种偏置漂移主动纠正系统、方法及引线键合机,通过将准直镜、分光镜、同轴光发射器以及回反射器的合理设置,并将不同时间点上,劈刀刀尖在工作时所形成的金球在成像系统探测器靶面上的不同位置间的差值,确定为劈刀和成像系统之间距离的偏置漂移量;根据该偏置漂移量纠正劈刀和成像系统之间的距离参数。从而可以实时精确测量劈刀和成像系统之间距离的偏置漂移量并对所述距离参数进行纠正,确保引线键合机的焊接精度,提供芯片的成品率,且结构简单,成本低,便于实现模块化。 | ||
搜索关键词: | 一种 偏置 漂移 主动 纠正 系统 方法 引线 键合机 | ||
【主权项】:
一种偏置漂移主动纠正系统,其特征在于,所述系统设置于一引线键合机中,并设置于引线键合头的下方;所述引线键合机包括:劈刀;以及设置有探测器的成像系统;所述劈刀刀尖在工作时形成金球;所述偏置漂移主动纠正系统包括:第一准直镜、第二准直镜、分光镜、同轴光发射器以及回反射器;所述同轴光发射器所发射的同轴光依次经过所述分光镜、第一准直镜,照亮所述金球;所述金球反射的光线依次经过所述第一准直镜、分光镜、回反射器、第二准直镜,将所述金球的像成像于所述成像系统中所述探测器的靶面上;所述偏置漂移主动纠正系统还包括:偏置漂移量获取模块,用于在第一时间获取所述金球的像在所述探测器靶面上的第一位置信息,以及在第二时间获取所述金球的像在所述探测器靶面上的第二位置信息,将所述第一位置信息与第二位置信息的差值确定为所述劈刀与成像系统之间距离的偏置漂移量;纠正模块,用于根据所述偏置漂移量获取模块获取的偏置漂移量,纠正引线键合机在焊接时所使用的劈刀与成像系统之间距离参数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中电科电子装备有限公司,未经北京中电科电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110109136.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造