[发明专利]将薄膜层连续地间接淀积在衬底上的气相淀积设备和过程有效
申请号: | 201110109401.7 | 申请日: | 2011-04-29 |
公开(公告)号: | CN102234789A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | R.W.布莱克 | 申请(专利权)人: | 初星太阳能公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/448;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 严志军;谭祐祥 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及将薄膜层连续地间接淀积在衬底上的气相淀积设备和过程。提供了用于将升华的源材料作为薄膜间接气相淀积在光电(PV)模块衬底(14)上的设备(100)和相关过程。淀积头(110)构造成以便使对其供应的源材料升华。升华的源材料凝结到设置在淀积头的下方的传输传送器(160)上。衬底传送器(166)设置在传输传送器的下方,并且沿通过设备的传送路径传送衬底,使得衬底的上表面与传输传送器的下支段(164)相对且在其下方与其隔开。热源(168)构造成邻近传输传送器的下支段。使镀到传输传送器上的源材料沿着下支段升华,并且凝结到衬底传送器传送的衬底的上表面上。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 连续 间接 衬底 气相淀积 设备 过程 | ||
【主权项】:
一种用于将升华的源材料作为薄膜间接气相淀积在光电(PV)模块衬底(14)上的设备(100),所述设备包括:淀积头(110),构造成以便使供应至该淀积头(110)的源材料升华;设置在所述淀积头的下方的转移装置(160),升华的源材料镀到该转移装置(160)上;衬底传送器(166),构造成沿着通过所述设备的传送路径传送衬底;所述转移装置可运动到与所述衬底的上表面相对的位置;以及,热源(168),构造成邻近所述转移装置;其中,最初镀到所述传输装置上的源材料被升华且被转移到所述衬底传送器传送的衬底的上表面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的