[发明专利]将薄膜层连续地间接淀积在衬底上的气相淀积设备和过程有效

专利信息
申请号: 201110109401.7 申请日: 2011-04-29
公开(公告)号: CN102234789A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: R.W.布莱克 申请(专利权)人: 初星太阳能公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/448;H01L31/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 严志军;谭祐祥
地址: 美国科*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及将薄膜层连续地间接淀积在衬底上的气相淀积设备和过程。提供了用于将升华的源材料作为薄膜间接气相淀积在光电(PV)模块衬底(14)上的设备(100)和相关过程。淀积头(110)构造成以便使对其供应的源材料升华。升华的源材料凝结到设置在淀积头的下方的传输传送器(160)上。衬底传送器(166)设置在传输传送器的下方,并且沿通过设备的传送路径传送衬底,使得衬底的上表面与传输传送器的下支段(164)相对且在其下方与其隔开。热源(168)构造成邻近传输传送器的下支段。使镀到传输传送器上的源材料沿着下支段升华,并且凝结到衬底传送器传送的衬底的上表面上。
搜索关键词: 薄膜 连续 间接 衬底 气相淀积 设备 过程
【主权项】:
一种用于将升华的源材料作为薄膜间接气相淀积在光电(PV)模块衬底(14)上的设备(100),所述设备包括:淀积头(110),构造成以便使供应至该淀积头(110)的源材料升华;设置在所述淀积头的下方的转移装置(160),升华的源材料镀到该转移装置(160)上;衬底传送器(166),构造成沿着通过所述设备的传送路径传送衬底;所述转移装置可运动到与所述衬底的上表面相对的位置;以及,热源(168),构造成邻近所述转移装置;其中,最初镀到所述传输装置上的源材料被升华且被转移到所述衬底传送器传送的衬底的上表面。
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