[发明专利]双镶嵌结构及其形成方法、半导体器件

摘要

一种双镶嵌结构及其形成方法、半导体器件，双镶嵌结构的形成方法包括：提供半导体基底，半导体基底内形成有器件结构，在半导体基底上形成有介质层；在介质层上形成具有第一开口的硬掩膜层，第一开口定义出互连沟槽的位置；在硬掩膜层上形成具有第二开口的光刻胶层，定义出通孔的位置，第二开口在第一开口长度方向的口径大于在第一开口宽度方向的口径；以光刻胶层为掩膜，刻蚀介质层形成第三开口；去除光刻胶层，以硬掩膜层为掩膜刻蚀第三开口周围的介质层，形成互连沟槽和通孔；在通孔和互连沟槽内填充导电材料形成双镶嵌结构，插栓在互连线长度方向的口径大于在互连线宽度方向的口径。本发明可以提高介质层的时间相关击穿特性。

主权项

一种形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底内形成有器件结构，在所述半导体基底上形成有介质层；在所述介质层上形成具有第一开口的硬掩膜层，所述第一开口定义出互连沟槽的位置；在所述硬掩膜层上形成具有第二开口的光刻胶层，所述第二开口位于所述第一开口上方，定义出通孔的位置，所述第二开口在第一开口长度方向的口径大于在第一开口宽度方向的口径；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述介质层形成第三开口，所述第三开口的高度小于所述介质层的厚度；去除所述光刻胶层，以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述第三开口周围的介质层，形成互连沟槽和通孔，所述通孔底部暴露出所述器件结构；去除所述硬掩膜层，在所述通孔和互连沟槽内填充导电材料形成双镶嵌结构，所述通孔对应形成插栓，所述互连沟槽对应形成互连线，所述插栓在所述互连线长度方向的口径大于在所述互连线宽度方向的口径。