[发明专利]紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法无效
| 申请号： | 201110109954.2 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102208755A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 沈广霞;张佳利;杨海军;崔大祥 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;B82Y40/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米材料技术领域的紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法，通过将石墨烯溶液旋涂于云母片上，经干燥得到氧化石墨烯/云母薄膜，经紫外光照射后制备得到单层石墨烯的量子点薄膜。本发明以氧化石墨烯为原材料，采用紫外刻蚀并还原法，一步干法制备单层石墨烯量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外光 刻蚀 法制 石墨 量子 方法 | ||
【主权项】：
一种紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法，其特征在于，通过将石墨烯溶液旋涂于云母片上，经干燥得到氧化石墨烯/云母薄膜，经紫外光照射后制备得到单层石墨烯的量子点薄膜。
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