[发明专利]一种单分散纳米二氧化硅的化学沉淀法生产工艺无效

专利信息
申请号: 201110110068.1 申请日: 2011-04-28
公开(公告)号: CN102757053A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 沈杰 申请(专利权)人: 昆山智集材料科技有限公司
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215332 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明采用化学沉淀法,结合表面活性剂的高度分散作用,在前期文献的基础上,第一次尝试以正硅酸乙酯为原料,氨水为催化剂,通过合理地控制反应条件,制备了单分散球形纳米二氧化硅颗粒。本发明具有实验设备简单、操作方便、表面活性剂用量少、稳定性好等优点,克服了传统制备方法存在的微粒大小难以控制、易团聚和粒度分布不均匀等缺点,具有工业推广及实际应用价值。本发明的纳米二氧化硅具有高度单分散、粒度均匀可控的特性。本产品主要用于增强与聚合物基体的界面结合,提高聚合物的承载能力,从而达到增强增韧聚合物的目的。
搜索关键词: 一种 分散 纳米 二氧化硅 化学 沉淀 生产工艺
【主权项】:
本发明是一一种单分散纳米二氧化硅的化学沉淀法生产工艺,包括如下步骤:步骤一,将水和乙醇按一定的物质的量比在烧杯中混合;步骤二,向步骤一得到的溶液中加入一定量的表面活性剂聚乙二醇并剧烈搅拌;步骤三,向步骤二得到的溶液中加入一定量的正硅酸乙酯,剧烈搅拌下充分混合;步骤四,将步骤三得到的溶液升温到一定温度,并持续搅拌一定的时间;步骤五,向步骤四得到的溶液中缓慢滴加一定量的氨水,反应一段时间得到沉淀物;步骤六,将步骤五得到的沉淀反复醇洗、离心;步骤七,将步骤六得到的沉淀在一定温度下恒温干燥一定时间,即得到所需产品纳米二氧化硅。
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