[发明专利]一种用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法有效
| 申请号： | 201110110175.4 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102420151A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张亮;姬峰;胡友存;陈玉文;李磊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/26 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法，包括：将已形成互连结构但尚未进行金属填充的芯片结构制备成透射电镜样品；对该样品进行电子能量损失谱测量，获得碳元素的一维线分布或二维区域分布；将所得数据经过数学运算和拟合，获得与碳元素分布一一对应的薄膜的介电常数参数；用该工艺后获得的碳元素分布或由拟合后获得的薄膜介电常数参数来表征该薄膜在某一工艺的受损情况，经过多次数据积累建立拟合公式和数据库，在不进行电学测试的情况下，预知性地给出最终的薄膜介电常数参数。本发明准确可控，重复性好，制样简单，测试周期短，空间分辨率高，经过拟合计算还可在中途即获得最终薄膜的电学性能参数，具有预先判断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 表征 介电常数 介质 材料 损伤 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种用于表征低介电常数介质材料损伤的检测方法，其特征在于，包括：将待测样品制备成透射电镜样品；对透射电镜样品进行电子能量损失谱测量，获得碳元素分布；将所得数据经过数学运算和拟合，获得与碳元素分布一一对应的薄膜的介电常数参数；用该工艺后获得的碳元素分布或由拟合后获得的薄膜介电常数参数来表征该薄膜在某一工艺的受损情况，并且，经过多次数据积累建立拟合公式和数据库，在不进行电学测试的情况下，预知性地给出最终的薄膜介电常数参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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