[发明专利]一种多合体功率放大器及其实现方法无效
| 申请号： | 201110110313.9 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102158190A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈化璋;刘建利;崔晓俊 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/68 | 分类号： | H03F3/68 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 吴艳;龙洪 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多合体功率放大器及其实现方法，包括载波功放电路和峰值功放电路，峰值功放电路中设置有用于控制峰值功放电路中峰值功放导通的射频开关；载波功放电路中的部分或全部载波功放是采用GaN器件，峰值放大电路的部分或全部峰值功放是采用LDMOS器件。本发明避免了Doherty功放中峰值支路提前导通的缺点，降低了峰值功放的功耗；同时由于Doherty功放中载波功放的功耗占绝大部分，本发明中载波功放使用HVHBT器件，效率远高于LDMOS器件，因此整个功放的效率得到大幅度的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合体 功率放大器 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种多合体功率放大器，包括载波功放电路和峰值功放电路，其特征在于，所述峰值功放电路中设置有用于控制所述峰值功放电路中峰值功放导通的射频开关；所述载波功放电路中的部分或全部载波功放是采用氮化镓（GaN）器件，所述峰值放大电路的部分或全部峰值功放是采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。
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