[发明专利]一种湿法清洗等离子体刻蚀残留物的方法无效
| 申请号： | 201110110381.5 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102420168A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李磊;胡友存;姬峰;张亮;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种湿法清洗等离子体刻蚀残留物的方法，其中，在半导体集成电路后段铜制程中，完成介电质层等离子干法刻蚀后，进行第一湿法清洗，以去除干法刻蚀后的聚合物残留；进行第二湿法清洗，以去除侧壁损伤层。本发明一种湿法清洗等离子体刻蚀残留方法解决了现有技术中采用单一的清洗液清洗效果不理想的问题，通过分别进行第一湿法清洗和第二湿法清洗去除残留物及侧壁损伤层，实现良好的清洗效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 清洗 等离子体 刻蚀 残留物 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法清洗等离子体刻蚀残留物的方法，其特征在于，在半导体集成电路后段铜制程中，完成介电质层等离子干法刻蚀后，进行第一湿法清洗，以去除干法刻蚀后的聚合物残留；进行第二湿法清洗，以去除侧壁损伤层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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