[发明专利]一种低应力的氮化镓外延层的制备方法有效
| 申请号： | 201110110546.9 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102760794A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 曲爽;徐现刚;邵慧慧;王成新;李树强 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低应力的氮化镓外延层制备方法，在衬底的正面或背面刻蚀图案，刻蚀的深度为1μm-100μm，刻蚀图案为正方形或圆形，图案之间的间距尺寸为1μm-10μm；用硫酸或者硫酸/磷酸混合溶液对刻蚀处理过的衬底层进行腐蚀，用去离子水进行清洗，在处理过的衬底的正面上采用MOCVD法生长氮化镓外延层。氮化镓外延层在处理过的衬底上生长时可受到较低的应力，简化生产工艺，提高生产的稳定性；避免发光二极管的有源区产生压电极化，提高发光二极管的发光效率。使用本发明生长的低应力的氮化镓外延层制作发光二极管其发光效率提高约10％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 氮化 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低应力的氮化镓外延层制备方法，步骤如下：1)采用干法刻蚀对衬底层的正面或者背面进行刻蚀，刻蚀的深度为1μm‑100μm，刻蚀图案为正方形或圆形，其边长或直径的尺寸为0.2mm‑5mm，图案之间的间距尺寸为1μm‑10μm；2)用硫酸或者硫酸/磷酸混合溶液对刻蚀处理过的衬底层进行腐蚀，常温下腐蚀时间为1min‑30min，或者在50‑200℃下腐蚀时间为1min‑10min；3)将步骤2)处理过的衬底层，用去离子水进行清洗，并甩干；4)在步骤3)处理过的衬底的正面上采用MOCVD法生长氮化镓外延层。
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