[发明专利]发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201110110765.7 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102760801A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底一表面设置一碳纳米管层；在设置有碳纳米管层的基底表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；在所述第二半导体层表面依次设置一反光层及第一电极；去除所述基底，暴露出所述碳纳米管层形成一出光面；在所述第一半导体层表面设置一第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底一表面设置一碳纳米管层；在设置有碳纳米管层的基底表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；在所述第二半导体层表面依次设置一反光层及第一电极；去除所述基底以及碳纳米管层，形成所述发光二极管的出光面；在所述第一半导体层表面设置一第二电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110110765.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
