[发明专利]一种半导体功率器件有效
| 申请号： | 201110110851.8 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102760752A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 肖秀光;王军鹤 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率器件，特别涉及一种半导体功率器件，本发明包括：第一导电类型第一半导体层、设置于第一半导体层中的第二导电类型阱区；设置于第二导电类型阱区中的第一导电类型源区；设置于第一半导体层上覆盖了阱区和源区的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的多晶硅层、设置于多晶硅层之上覆盖了源区和阱区的第二绝缘层，覆盖于第二绝缘层之上与阱区和源区连接的第一金属层、位于第一半导体层背面的第二导电类型第二半导体层，以及与第二半导体层连接的第二金属层，阱区的禁带宽度大于源区禁带宽度；本发明提高了器件的抗闩锁能力，同时不增加器件导通功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件, 其特征在于，包括：第一导电类型第一半导体层、设置于第一导电类型第一半导体层中的第二导电类型第一阱区，以及与所述第一阱区隔开的第二导电类型第二阱区；设置于第二导电类型第一阱区中的第一导电类型第一源区、设置于第二导电类型第二阱区中的第一导电类型第二源区；设置于第一导电类型第一半导体层上覆盖了部分阱区和部分源区的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的多晶硅层、设置于多晶硅层之上覆盖了部分源区和阱区的第二绝缘层，覆盖于第二绝缘层之上与阱区和源区连接的第一金属层、位于第一导电类型第一半导体层背面的第二导电类型第二半导体层，以及与第二导电类型第二半导体层连接的第二金属层，阱区的禁带宽度大于源区禁带宽度。
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