[发明专利]一种多赫蒂功放装置及功率放大方法无效
| 申请号： | 201110110872.X | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102158177A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 段斌;崔晓俊;陈化璋;刘建利 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/07 | 分类号： | H03F1/07 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 李健;龙洪 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多赫蒂功放装置及功率放大方法，本装置包括峰值功放装置，所述峰值功放装置用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件进行信号功率放大。采用本发明，与现有的主功放和辅助功放均采用LDMOS的Doherty功放相比，可使整个Doherty功放的功放效率得到大幅提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多赫蒂 功放 装置 功率 放大 方法 | ||
【主权项】：
一种多赫蒂功放装置，包括峰值功放装置，其特征在于，所述峰值功放装置，用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件进行信号功率放大。
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