[发明专利]一种功率放大管以及功率放大方法无效
| 申请号： | 201110110877.2 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102158186A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 何钢;陈化璋;崔晓俊 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 李健;龙洪 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率放大管以及功率放大方法，此所述功率放大管包括峰值功放器和主功放器，所述峰值功放器和主功放器均集成所述功率放大管所在的同一封装；所述功率放大管中峰值功放器和主功放器中的一个或多个放大器用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件进行信号功率放大，其它放大器用于采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件进行信号功率放大。本发明应用于Doherty放大器，采用突破性的全新功放管芯组合方式设计功率管，与现有的全部采用LDMOS的功放管芯的Doherty放大器相比，可在保证功率放大管的小体积基础上实现高效率的功率放大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 放大 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种功率放大管，应用于多赫蒂功放装置，所述功率放大管包括峰值功放器和主功放器，其特征在于，所述峰值功放器和主功放器均集成所述功率放大管所在的同一封装；所述功率放大管中峰值功放器和主功放器中的一个或多个放大器用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件进行信号功率放大，其它放大器用于采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件进行信号功率放大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴通讯股份有限公司，未经中兴通讯股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110110877.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多层片式滤波器及其制备方法
- 下一篇：晶片研磨装置
