[发明专利]功率放大装置及功放电路无效
| 申请号： | 201110111738.1 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102170269A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 崔晓俊;陈化璋;刘建利;安晋元 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/07 | 分类号： | H03F1/07;H03F3/20 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 田红娟;龙洪 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率放大装置及功放电路，所述功放电路采用Doherty电路结构，所述末级功放电路采用高电子迁移率晶体管(HEMT)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器和辅助(Peak)放大器。本发明功率放大装置及功放电路提高了功率放大的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 放大 装置 功放 电路 | ||
【主权项】：
一种功率放大装置，该装置包括一个或多个串联的推动级功放电路以及与最后一个推动级功放电路的输出端连接的末级功放电路，其特征在于：所述推动级功放电路和末级功放电路均采用Doherty电路结构，所述推动级功放电路均采用横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器和辅助(Peak)放大器，所述末级功放电路采用高电子迁移率晶体管(HEMT)功放管实现Doherty电路结构的主(Carrier)放大器和辅助(Peak)放大器。
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