[发明专利]一种压变存储技术的NMOS器件制作方法有效
| 申请号： | 201110112419.2 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102768993A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 李凡;张海洋;黄怡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SMT制作NMOS的方法，在晶片的器件面和背面沉积氮化硅层后，经过尖峰退火使氮化硅层对栅极压应力后，在晶片背面的氮化硅层表面形成二氧化硅保护层，最后湿法刻蚀去除晶片器件面的氮化硅层。本发明提出方法在完全去除氮化硅层的同时减小晶片器件面硅衬底损伤的前提下，保护晶片背面的氮化硅层不被湿法刻蚀去除，具有制作成本低，有利于修复栅极电介质层完整性失效的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 技术 nmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种压变存储技术的NMOS器件制作方法，应用在具有硅衬底和NMOS器件的晶片上；在所述晶片器件面沉积第一氮化硅层，在所述晶片背面沉积第二氮化硅层，所述晶片尖峰退火后，其特征在于，该方法还包括：所述第一氮化硅层上沉积第一二氧化硅层，所述第二氮化硅层上沉积第二二氧化硅层；干法刻蚀去除所述第一二氧化硅层，露出第一氮化硅层；湿法刻蚀去除所述第二氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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