[发明专利]全溶液法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池无效
申请号: | 201110113090.1 | 申请日: | 2011-05-04 |
公开(公告)号: | CN102201495A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 钱磊;谢承智;张智恒;刘德昂;顾龙棣 | 申请(专利权)人: | 苏州瑞晟太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种全溶液法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池,CIGS太阳能光电池的CIGS活性层通过溶液法制作在导电衬底上,厚度为0.1-10微米,最后在200-1000度的环境下高温退火形成CIGS的连续膜。该CIGS太阳能光电池的制备采用全溶液法,整个器件的活性层的制备都可用非真空卷对卷的方式来进行,比如喷涂,打印,印刷等,这一发明将极大的降低CIGS太阳能电池的生产成本,对其产业化的发展提供了强有力的手段。 | ||
搜索关键词: | 溶液 法制 备铜铟镓硒 cigs 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种全溶液法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池,所述CIGS太阳能光电池包括,导电衬底;CIGS活性层,该CIGS活性层制备在所述导电衬底上,主要作为吸光层;n型半导体层,该n半导体层制作在所述CIGS活性层上,并与之形成pn结,可有效增大光生激子的解离和输出;窗口层,该窗口层制作在所述n型半导体层用来保护所述N型半导体层;透明电极层,该透明电极层制作在所述窗口层上;采集电极,该采集电极制作在所述透明电极层上,具有采集光生光流的作用;其特征在于,所述CIGS活性层通过溶液法制作在导电衬底上,厚度为0.1‑10微米,最后在200‑1000度的环境下高温退火形成CIGS的连续膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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