[发明专利]TFT、包括TFT的阵列基板及制造TFT和阵列基板的方法有效
| 申请号： | 201110113640.X | 申请日： | 2011-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102280488A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 卢大铉;金成虎 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/77;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;王琦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管(TFT)、包括TFT的阵列基板及制造TFT和阵列基板的方法。所述TFT包括有源层和金属构件，所述金属构件与所述有源层的源区和漏区中的每一个的部分对应，并且被布置在所述有源层上，所述金属构件的部分接触所述有源层的所述源区和所述漏区以及源电极和漏电极，并且所述有源层的与在所述有源层的金属构件下面的部分对应的部分并不被掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | tft 包括 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：有源层，包括源区、漏区和沟道区，所述有源层包括多个掺杂区和至少一个非掺杂区；第一金属构件，被布置在所述有源层上以与所述源区和所述漏区中的每一个的部分对应；上绝缘层，被布置在所述第一金属构件上，所述上绝缘层被暴露所述第一金属构件的部分的一对接触孔穿透；栅电极，被布置为与所述有源层的沟道区对应；以及第二金属构件，用于将所述源区和所述漏区中的每一个电连接至外部元件。
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