[发明专利]一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺

摘要

本发明涉及一种用于晶体硅太阳能电池片的制备方法。它具体有如下步骤：1）采用湿法制绒后，再经过反应离子刻蚀、钝化、去除离子进行二次制绒；2）将步骤（1）所得硅片扩散，再依次采用周边刻蚀、去磷硅玻璃、氢钝化及沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。本发明提出的晶体硅太阳能电池片的制备方法，主要是提供了一种可以增加光在晶体硅体内的光程，减少光反射损失方法；采用本发明的方法制成的晶体硅片表面的反射率较低，在沉积氮化硅膜前采用氢钝化可以减少硅悬空键，形成Si-H，减少表面态，提高短路电流，达到提高转化效率的目的。

主权项

一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺，步骤包括：①一次制绒 将硅片进行化学腐蚀去除晶体硅表面损伤层，然后进行湿法制绒及化学清洗；②二次制绒及钝化 将上述硅片再经过反应离子刻蚀进行二次制绒；③二次制绒后的硅片依次进行钝化、去除离子、扩散、边缘绝缘、去磷硅玻璃、氢钝化及沉积氮化硅膜、丝网印刷、烧结等步骤。