[发明专利]一种槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管有效
| 申请号： | 201110114029.9 | 申请日： | 2011-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102751321A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 李思敏 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 张卫华 |
| 地址： | 100011 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在下层为第一导电类型低电阻率层、上层为第一导电类型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个第一导电类型的高掺杂浓度的发射区，发射区的上面连接着掺杂多晶硅层，其特点是两个相邻的槽形栅区的槽的距离为2--10μm：所述的两个相邻的槽形栅区互相交叠。本发明的优点是：开关速度快，抗冲击能力强，应用功率大，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 槽形栅 多晶 结构 晶体管 | ||
【主权项】：
一种槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在下层为第一导电类型低电阻率层、上层为第一导电类型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个第一导电类型的高掺杂浓度的发射区，发射区的上面连接着第一导电类型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每个发射区的周围有第二导电类型的基区，基区的侧下面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的第二导电类型的槽形栅区，每条槽的底面和侧面覆盖着绝缘层，侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面，栅区与栅极金属层相连，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：所述两个相邻的槽形栅区的槽的距离为2‑‑10μm：所述两个相邻的槽形栅区互相交叠。
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