[发明专利]多管组合曲率补偿低压带隙基准源

摘要

本发明属于模拟集成电路技术领域，其特征是提出了一种对带隙基准电压源进行曲率补偿的新方法，即多管组合技术。该技术是在现有的一阶带隙基准源的基础上，增加了可随工艺条件不同而改变n值的n对补偿电流支路，每一对都由一个以PMOS管为核心的灌电流支路和一个以NMOS管为核心的拉电流支路构成，该技术使曲率补偿在整个温度范围内对基准输出电压进行补偿，并产生2n+1个区域极值点，从而限定基准输出电压随温度变化曲线的幅度，使曲线更平缓，从而比普通一阶补偿基准电压源的温度特性有了较大幅度的提高，而且工艺适应性强，拓展了基准源的工作温度范围，降低了设计难度，且能在低电源电压下工作。

主权项

在多管组合曲率补偿低压带隙基准源，该带隙基准电压源含有多管组合曲率补偿低压电路；其特征在于，包含如下元器件结构：PMOS管(MPn)，该管的衬底和源极相连后接电源，栅极与NMOS管(N(2n))的漏极以及电阻(RPn)的一端相连，漏极为输出端(VREF)，该输出端经电阻R3、R4后与地相接；PMOS管(P(2n‑1))，该管的衬底和源极相连后接电源，栅极与NMOS管(M3)的漏极以及运放(A2)输出端相连，漏极接NMOS管N(2n‑1)的漏极与栅极；PMOS管(P(2n))，该管的衬底和源极相连后接电源，栅极与NMOS管(M3)的漏极以及运放(A2)输出端相连，漏极与电阻(RNn)的一端以及NMOS管(MNn)栅极相连；NMOS管(MNn)，该管的衬底和源极相连后接地，栅极与PMOS管(P(2n))的漏极以及电阻(RNn)的一端相连，漏极与输出端(VREF)经电阻R3后的节点相连；NMOS管(N(2n‑1))，该管的衬底和源极相连后接地，栅极与NMOS管(N(2n))的栅极相连，漏极与PMOS管(P(2n‑1))的漏极以及自身的栅极相连；NMOS管(N(2n))，该管的衬底和源极相连后接地，栅极与NMOS管(N(2n‑1))的栅极相连，漏极与电阻(RPn)的一端以及PMOS管(MPn)的栅极相连；电阻(RPn)，一端接电源，另一端接PMOS管(MPn)的栅极以及NMOS管(N(2n))的漏极；电阻(RNn)，一端接地，另一端接PMOS管(P(2n))的漏极以及NMOS管(MNn)的栅极；其中n的值可随制造工艺的不同，选取大于0的任意正整数，即多管组合曲率补偿低压电路部分总的晶体管数量为6n个，电阻数量为2n个。