[发明专利]片上电感集总模型无效
| 申请号： | 201110114087.1 | 申请日： | 2011-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102156792A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 石艳玲;李曦;蔡静;任铮;胡少坚;陈寿面 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型片上电感集总模型，所述片上电感集总模型在传统单π电感模型的电感部分接入了并联的R0和L0，表征趋肤效应和邻近效应；在衬底部分接入了并联的Rsub和Csub，表征衬底的电磁损耗。本发明片上电感集总模型与传统单π模型相比，因其同时考虑了趋肤效应和邻近效应及衬底的电磁损耗，在自谐振频率范围内可以更加精确地模拟不同电感结构和不同衬底材料的片上螺旋电感。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 模型 | ||
【主权项】：
一种片上电感集总模型，其特征在于，所述片上电感集总模型在传统单π模型的电感部分接入了并联的R0和L0，表征趋肤效应和邻近效应；在所述传统单π模型的衬底部分接入了并联的Rsub和Csub，表征衬底的电磁损耗，使所述片上电感集总模型在自谐振频率范围内更加精确地模拟不同电感结构和不同衬底材料的片上螺旋电感。
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