[发明专利]低阻抗发光二极管结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201110114326.3 | 申请日： | 2011-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102769084A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 赖鸿伟;张青洲;张智松 | 申请（专利权）人： | 联胜光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为低阻抗发光二极管结构及其制作方法，其结构包含一基板、一发光层、一欧姆接触层、一低阻抗接触层与一电极层，本发明方法为在该基板上依序形成该发光层、该欧姆接触层后，于该欧姆接触层上先形成一厚度在3埃-20埃的低阻抗接触层，再利用溅镀于该低阻抗接触层上形成该电极层，据此该低阻抗接触层可提供载子，使该欧姆接触层与该电极层之间不产生萧基位障，而增加该欧姆接触层的作用以降低接触阻抗，并保护该发光层在溅镀的制程中，不受到溅射离子的破坏，而形成低阻抗发光二极管结构，以增加发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗 发光二极管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种低阻抗发光二极管结构，其特征在于，包含：一基板(10)；一发光层(20)，所述发光层(20)形成于所述基板(10)之上；一欧姆接触层(30)，所述欧姆接触层(30)形成于所述发光层(20)上；一低阻抗接触层(40)，所述低阻抗接触层(40)形成于所述欧姆接触层(30)之上，且所述低阻抗接触层(40)的厚度为3埃‑20埃；以及一电极层(50)，所述电极层(50)形成于所述低阻抗接触层(40)之上。
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