[发明专利]一种常压固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110114635.0 申请日: 2011-05-04
公开(公告)号: CN102765940A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 陈健;黄政仁;刘学建;高剑琴 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622;C04B35/64;C04B38/00
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 许亦琳;余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法。碳化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤:1)以SiC粉体、B4C粉体、球形PMMA和酚醛树脂为原料;2)将所述原料配成固含量为40-45wt%的浆料,进行球磨混合;3)将球磨混合后的浆料烘干,再研磨粉碎后过筛,将得到的粉体干压成型;4)将成型后的样品真空脱粘后,在常压惰性气氛条件下烧结,烧结温度为1900-2300℃,保温时间为1-2h。所制得的陶瓷材料不但具有良好的摩擦性能,并且具有较高的密度及抗弯强度。
搜索关键词: 一种 常压 烧结 微孔 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
一种固相烧结微孔碳化硅陶瓷的制备方法,包括如下步骤:1)以SiC粉体、B4C粉体、球形PMMA和酚醛树脂为原料,其中,以SiC粉体和B4C粉体的总重量为基准计,B4C占0.1~1%;球形PMMA为SiC粉体和B4C粉体总重量的0.5~5.5%,酚醛树脂为SiC粉体和B4C粉体总重量的10‑30%;2)将所述原料配成固含量为40‑45wt%的浆料,进行球磨混合;3)将球磨混合后的浆料烘干,再研磨粉碎后过筛,将得到的粉体干压成型;4)将成型后的样品真空脱粘后,在常压惰性气氛条件下烧结,烧结温度为1900‑2300℃,保温时间为1‑2h。
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