[发明专利]Gummel Poon模型上实现射频相关性噪声方法有效

专利信息
申请号: 201110115067.6 申请日: 2011-05-05
公开(公告)号: CN102419782A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 黄景丰 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种在Gummel Poon模型上实现射频相关性噪声的模型方法,在所述Gummel Poon模型的基极串联第一噪声源,在集电极串联第二噪声源,在发射极串联第三噪声源,在基极并联第四噪声源,在集电极并联第五噪声源和第六噪声源;所述第一、第二和第三噪声源为噪声电压源,第一噪声源模拟基极寄生电阻产生的热噪声,第二噪声源模拟集电极寄生电阻产生的热噪声,第三噪声源模拟发射极寄生电阻产生的热噪声;所述第四、第五和第六噪声源为噪声电流源,第四噪声源模拟基极电流产生的散弹噪声,第五和第六噪声源模拟集电极电流产生的散弹噪声。本发明大大提高了Gummel Poon模型射频噪声的仿真精度,使得Gummel Poon模型仿真数据与测试数据能够很好的吻合。
搜索关键词: gummel poon 模型 实现 射频 相关性 噪声 方法
【主权项】:
一种Gummel Poon模型上实现射频相关性噪声方法,其特征在于,在所述Gummel Poon模型的基极串联第一噪声源,在集电极串联第二噪声源,在发射极串联第三噪声源,在基极并联第四噪声源,在集电极并联第五噪声源和第六噪声源;所述第一、第二和第三噪声源为噪声电压源,第一噪声源模拟基极寄生电阻产生的热噪声,第二噪声源模拟集电极寄生电阻产生的热噪声,第三噪声源模拟发射极寄生电阻产生的热噪声;所述第四、第五和第六噪声源为噪声电流源,第四噪声源模拟基极电流产生的散弹噪声,第五和第六噪声源模拟集电极电流产生的散弹噪声。
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