[发明专利]半导体结构及其制造方法与操作方法有效
| 申请号： | 201110115572.0 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102769036A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 黄学义;陈永初;锺淼钧;黄胤富;连士进 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法与操作方法。该半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区与介电结构。第二掺杂区与第三掺杂区形成掺杂编码层。掺杂编码层位于第一掺杂区与第四掺杂区中。介电结构位于第一掺杂区上。掺杂编码层的边缘介于相邻近的第四掺杂区的边缘与介电结构的边缘之间。本发明各实施例的半导体结构具有低的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一掺杂区；一第二掺杂区；一第三掺杂区，其中该第二掺杂区与该第三掺杂区形成一掺杂编码层；一第四掺杂区，其中该掺杂编码层位于该第一掺杂区与该第四掺杂区中；以及一介电结构，位于该第一掺杂区上，其中该掺杂编码层的一边缘介于相邻近的该第四掺杂区的一边缘与该介电结构的一边缘之间。
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