[发明专利]一种除去金属硅中的磷杂质的方法

摘要

本发明公开了一种除去金属硅中的磷杂质的方法，如下：第一步、将金属硅置于感应炉中，在氮气气氛下于1460～1500℃熔化；第二步、将体积比为1.2:1～1:1.5的二氧化硅和碳酸锂于1440～1460℃在另一个坩埚中熔化；第三步、将第二步中熔化好的二氧化硅－碳酸锂混合物直接倒入第一步的硅液中，30分钟后停炉；冷却后，硅与渣自然分离；第四步、将第三步中将得到的硅破碎，粉碎至60～90微米；第五步、用1:6的HF酸与HCl对第四步中得到的破碎硅进行浸泡15～30小时，一次可有效除磷85%以上，同时其它金属杂质含量低于200ppm；第六步、重复步骤一～五，进行二次造渣和酸洗；第七步、将得到的硅进行重熔和定向凝固，金属硅中杂质磷含量可降低到0.1ppm以下，其他金属含量总和小于0.1ppm。

主权项

一种除去金属硅中的磷杂质的方法，其特征在于,具体制备方法步骤如下：（1）将金属硅置于感应炉中，在氮气气氛下于1470～1490℃熔化；（2）将一定体积比的二氧化硅和碳酸锂于1440～1460℃在另一个坩埚中熔化，二氧化硅和碳酸锂的体积比为1.1:1～1:1.2；（3）将熔化好的二氧化硅－碳酸锂混合物直接倒入硅液中，30分钟后停炉，冷却后，硅与渣自然分离；（4）将得到的硅破碎，进一步粉碎至70～80微米；（5）用1:6的HF酸与HCl进行浸泡15～30小时；（6）重复步骤（1）～（5），进行二次造渣和酸洗；（7）将得到的硅进行重熔和定向凝固，金属硅中杂质磷含量可降低到0.1ppm以下，其它金属含量总和小于0.1ppm。