[发明专利]一种发光二极管的开路保护器有效
| 申请号： | 201110116127.6 | 申请日： | 2011-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102291876A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;张金平 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H05B37/02 | 分类号： | H05B37/02;H02H7/20;H01L27/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的开路保护器，属于电子技术领域。包括分立或集成的IGBT器件、齐纳二极管和电阻；所述齐纳二极管的阳极与IGBT器件的阳极电位相连，齐纳二极管的阴极与IGBT器件的栅极相连，电阻连接于IGBT器件的栅极和阴极之间。当发光二极管正常工作时，与之并联的开路保护器两端的电压较低，IGBT的MOS沟道关断，整个开路保护器处于关断状态；当发光二极管开路时，与之并联的开路保护器两端电压迅速升高，IGBT的MOS沟道开启，IGBT导通，流过P-基区的正向电流使寄生的晶闸管开启并进入闩锁状态，从而为发光二极管提供开路保护。开路保护结构进入闩锁状态后，开路保护结构两端的电压迅速降低，即使没有栅控电压也能维持闩锁状态。本发明具有启动快、功耗低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 开路 保护 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的开路保护器，包括一个IGBT器件、一个齐纳二极管(D或24)和一个电阻(R或23)；其特征在于，齐纳二极管(D或24)的阳极与IGBT器件的阳极电位相连，齐纳二极管(D或24)的阴极与IGBT器件的栅极相连，电阻(R或23)连接于IGBT器件的栅极和阴极之间。
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