[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造、修复方法有效
| 申请号： | 201110116523.9 | 申请日： | 2011-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102629605A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 周保全;范朋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板及其制造、修复方法，该阵列基板包括：第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜，位于第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间的栅层、源漏电极层和位于栅层和源漏电极层之间的栅绝缘层，在栅层和/或源漏电极层上设置像素镭射图形。该阵列基板在出现亮点时由于存在像素镭射图形因此可以采用激光熔接技术进行修复。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，其特征在于，包括：第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜，位于第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间的栅层、源漏电极层和位于栅层和源漏电极层之间的栅绝缘层，其特征在于，在栅层和/或源漏电极层上设置像素镭射图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
