[发明专利]UMOS晶体管及其形成方法

摘要

一种UMOS晶体管形成方法，所述UMOS晶体管形成方法在掺杂阱内形成掺杂区，所述掺杂区位于体区与源区的底部，且横跨体区与源区的交界，所述掺杂区的掺杂类型与掺杂阱的掺杂类型相反，从而在体区与掺杂区交界处形成势垒，由于所形成的势垒的阻挡作用，体区内的掺杂离子无法跨越所述势垒进入沟道区，从而避免了由于体区内的掺杂离子进入沟道区，而对晶体管的开启电压产生影响。相应地，本发明还提供通过上述方法所形成的UMOS晶体管。本发明所提供的UMOS晶体管及其形成方法可以提高UMOS晶体管的性能。

主权项

一种UMOS晶体管形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有外延层，所述外延层的表面形成有掺杂阱，所述掺杂阱和所述外延层的掺杂类型相反；形成沟槽，所述沟槽贯穿所述掺杂阱，且部分位于所述外延层内；形成覆盖所述沟槽底部和侧壁的栅介质层以及填充满所述沟槽的栅电极层；在所述栅电极层两侧的掺杂阱内形成源区，所述源区的掺杂类型与掺杂阱掺杂类型相反；在所述源区侧面的掺杂阱内形成体区，所述体区与源区邻接，所述体区的掺杂类型与掺杂阱的掺杂类型相同；其特征在于，还包括：在所述掺杂阱内形成掺杂区，所述掺杂区位于体区与源区的底部，横跨体区与源区的交界，所述掺杂区的掺杂类型与掺杂阱的掺杂类型相反。