[发明专利]光学邻近修正的判断方法有效
| 申请号： | 201110117365.9 | 申请日： | 2011-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102156382A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 周从树;顾以理;钟政;张迎春 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光学邻近修正的判断方法，包括：提供具有原始图案的光掩模版；将所述光掩膜版的原始图案分割为若干子图案，并对至少一个子图案进行光学邻近修正，获得至少一个修正子图案及其对应的掩膜误差增强因子；提供掩膜误差增强因子的阈值；若修正子图案对应的掩膜误差增强因子小于所述掩膜误差增强因子阈值，则接受所述修正子图案的修正；若修正子图案对应的掩膜误差增强因子不小于所述掩膜误差增强因子阈值，再判断：若修正子图案满足工艺界限要求，则接受所述修正子图案的修正；若修正子图案不满足工艺界限要求，则不接受所述修正子图案的修正。所述光学邻近修正方法防止因对光掩膜版进行光学邻近修正后，导致晶圆上的电学结构失效的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 邻近 修正 判断 方法 | ||
【主权项】：
一种光学邻近修正的判断方法，其特征在于，包括下列步骤：提供具有原始图案的光掩模版；将所述光掩膜版的原始图案分割为若干子图案，并对至少一个子图案进行光学邻近修正，获得至少一个修正子图案及其对应的掩膜误差增强因子；提供掩膜误差增强因子的阈值；若修正子图案对应的掩膜误差增强因子小于所述掩膜误差增强因子阈值，则接受所述修正子图案的修正；若修正子图案对应的掩膜误差增强因子不小于所述掩膜误差增强因子阈值，再判断：若修正子图案满足工艺界限要求，则接受所述修正子图案的修正；若修正子图案不满足工艺界限要求，则不接受所述修正子图案的修正。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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