[发明专利]SRAM单元、SRAM存储器有效
| 申请号： | 201110117370.X | 申请日： | 2011-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102148057A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种SRAM单元、SRAM存储器，所述SRAM单元包括至少一个NMOS晶体管和PMOS晶体管，还包括：电压调整单元，用于在所述SRAM单元待机时，将所述PMOS晶体管所在的衬底电压降低为SRAM单元工作电压的0.7～0.9倍，在所述SRAM单元读/写操作时，所述PMOS晶体管所在的衬底电压为SRAM单元的工作电压。本发明实施例提高了SRAM单元待机状态的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | sram 单元 存储器 | ||
【主权项】：
一种SRAM单元，包括至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管，其特征在于，还包括：电压调整单元，用于在所述SRAM单元待机时，将所述PMOS晶体管所在的衬底电压降低为SRAM单元工作电压的0.7～0.9倍，在所述SRAM单元读/写操作时，所述PMOS晶体管所在的衬底电压为SRAM单元的工作电压。
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