[发明专利]静电放电保护电路有效

专利信息
申请号: 201110119362.9 申请日: 2011-05-05
公开(公告)号: CN102769012A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 蔡佳谷;蔡富义;彭彦华 申请(专利权)人: 智原科技股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张龙哺;冯志云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种静电放电保护电路,设有一第一硅控整流器(SCR,Silicon Controlled Rectifier)与一触发电路;触发电路设有一第一金属氧化物半导体晶体管与一第二晶体管,在静电放电发生时触发第一硅控整流器,并提供一个与第一硅控整流器并联的第二硅控整流器。本发明设有触发电路,得以在静电放电发生时快速触发硅控整流器导通,等效上就是降低硅控整流器的触发电压。而触发电路本身又可提供另一并联的硅控整流器,进一步增强对静电放电电流的导通能力。
搜索关键词: 静电 放电 保护 电路
【主权项】:
一种静电放电保护电路,包含:一第一硅控整流器,具有一第一耦接端、一第二耦接端与一控制端;该第一耦接端与该第二耦接端分别耦接一阳极端与一阴极端;以及一触发电路,包含:一第一金属氧化物半导体晶体管,具有一第一极、一第二极与一第三极;该第一极与该第三极分别耦接该控制端与该第二耦接端;以及一第二晶体管,具有一第四极与一第五极;该第四极耦接至该阳极端,该第五极耦接该第二极;该第一金属氧化物半导体晶体管与该第二晶体管于该第一耦接端与该第二耦接端间提供一第二硅控整流器。
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