[发明专利]静电放电保护电路有效
申请号: | 201110119362.9 | 申请日: | 2011-05-05 |
公开(公告)号: | CN102769012A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 蔡佳谷;蔡富义;彭彦华 | 申请(专利权)人: | 智原科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张龙哺;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种静电放电保护电路,设有一第一硅控整流器(SCR,Silicon Controlled Rectifier)与一触发电路;触发电路设有一第一金属氧化物半导体晶体管与一第二晶体管,在静电放电发生时触发第一硅控整流器,并提供一个与第一硅控整流器并联的第二硅控整流器。本发明设有触发电路,得以在静电放电发生时快速触发硅控整流器导通,等效上就是降低硅控整流器的触发电压。而触发电路本身又可提供另一并联的硅控整流器,进一步增强对静电放电电流的导通能力。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种静电放电保护电路,包含:一第一硅控整流器,具有一第一耦接端、一第二耦接端与一控制端;该第一耦接端与该第二耦接端分别耦接一阳极端与一阴极端;以及一触发电路,包含:一第一金属氧化物半导体晶体管,具有一第一极、一第二极与一第三极;该第一极与该第三极分别耦接该控制端与该第二耦接端;以及一第二晶体管,具有一第四极与一第五极;该第四极耦接至该阳极端,该第五极耦接该第二极;该第一金属氧化物半导体晶体管与该第二晶体管于该第一耦接端与该第二耦接端间提供一第二硅控整流器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的