[发明专利]具有沟槽边缘终端的半导体元件有效
申请号: | 201110119588.9 | 申请日: | 2011-05-10 |
公开(公告)号: | CN102244091A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | G.施密特 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L29/74;H01L29/861 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 曲宝壮;李家麟 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 具有沟槽边缘终端的半导体元件,包括:半导体本体,具有第一表面和第二表面且具有内部区域和边缘区域;pn结,位于第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域之间,该pn结在内部区域中在半导体本体的横向方向延伸;第一沟槽,从边缘区域中第一侧延伸到半导体本体内,其中该沟槽具有彼此相对布置且相对于半导体本体的水平方向倾斜的侧壁。 | ||
搜索关键词: | 具有 沟槽 边缘 终端 半导体 元件 | ||
【主权项】:
一种半导体元件,包括:半导体本体,该半导体本体具有第一表面和第二表面并具有内部区域和边缘区域;pn结,该pn结位于第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域之间,该pn结在内部区域中在半导体本体的横向方向上延伸;第一沟槽,该第一沟槽从边缘区域中的第一侧延伸到半导体本体内,其中该沟槽具有彼此相对布置且相对于半导体本体的水平方向倾斜的侧壁。
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