[发明专利]动态控制微晶层中形成的膜的微结构的方法无效
| 申请号： | 201110120248.8 | 申请日： | 2011-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102234838A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 郑义;宣广弛;袁正;布赖恩·赛 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06;C23C16/24;C23C16/505;H01L31/18;H01L31/028 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于本征型微晶硅层的方法。在一个实施例中，形成本征型微晶硅层的方法包括动态增加供应到设置在处理室中的基板表面上的气体混合物中的硅烷气体，动态减小施加到供应至处理室的气体混合物中的用于在所述气体混合物中形成等离子体的RF功率，和在基板上形成本征型微晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 动态控制 微晶层中 形成 微结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成本征型微晶硅层的方法，包括：动态增加供应到设置在处理室中的基板表面的气体混合物中的硅烷气体；动态减小施加到供应至处理室的气体混合物的RF功率，所述气体混合物在所述处理室中形成等离子体；和在存在所述等离子体的情况下，在基板上形成本征型微晶硅层。
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