[发明专利]低噪声放大器无效
| 申请号： | 201110120470.8 | 申请日： | 2011-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102780457A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 马和良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低噪声放大器，包括：第一NMOS管，其源极与第一电容的一端和第一电感的一端相连接，第一电容另一端作为所述放大器的射频输入端；其漏极与第二电感一端和第三电容一端相连接，所述第二电感另一端与第二NMOS管的源极和第二电容一端相连接；所述第一电感的另一端和第二电容另一端接地；所述第二NMOS管的栅极连接第三电感一端，所述第三电感另一端与所述第三电容另一端、电阻一端、第四电容一端相连接；其漏极与第五电容一端、第一PMOS管的源极和电阻另一端相连接，第五电容另一端作为所述放大器的射频输出端；所述第一PMOS管的栅极与所述第四电容的另一端相连接，其漏极连接电源。本发明提供的放大器能降低功耗，提高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种低噪声放大器，其特征是，包括：第一NMOS管，其源极与第一电容的一端和第一电感的一端相连接，第一电容的另一端作为所述放大器的射频输入端；其漏极与第二电感的一端和第三电容的一端相连接，所述第二电感的另一端与第二NMOS管的源极和第二电容的一端相连接；所述第一电感的另一端和第二电容的另一端接地；所述第二NMOS管的栅极连接第三电感的一端，所述第三电感的另一端与所述第三电容的另一端、电阻的一端、第四电容的一端相连接；其漏极与第五电容的一端、第一PMOS管的源极和电阻的另一端相连接，第五电容的另一端作为所述放大器的射频输出端；所述第一PMOS管的栅极与所述第四电容的另一端相连接，其漏极连接电源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹集成电路有限责任公司，未经上海华虹集成电路有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110120470.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于祛风消痛的膏药
- 下一篇：薄膜元件组装体
