[发明专利]无氰浸金液及无氰浸金工艺无效
申请号: | 201110121321.3 | 申请日: | 2011-05-11 |
公开(公告)号: | CN102212805A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 陈兵 | 申请(专利权)人: | 深圳市精诚达电路有限公司 |
主分类号: | C23C18/42 | 分类号: | C23C18/42 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 张明 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种无氰浸金液及无氰浸金工艺。无氰浸金液包含以下各组分及各组分含量为:柠檬酸金钾,以Au的含量计算为0.1-3g/L,络合剂1-200g/L,稳定剂0.01~5000mg/L,所述络合剂为羟基羧酸、脂肪族羧酸、有机膦酸的一种或几种的组合,所述稳定剂为含铅无机盐、含硫有机物、胺类有机物的一种或几种的组合。无氰浸金工艺为:浸金时,浸金液的温度为60-95℃,浸金液的pH为4-6,浸金时间为4-12min。本发明无氰浸金液及无氰浸金工艺,实现了各类制品,尤其是印刷电路板的无氰化镀金,可在镀件基体表面形成附着性良好、厚度小且分布均匀的浸金镀层,由于不使用氰盐类物质,安全无公害,成本低,具有很好的经济效益和社会效益。 | ||
搜索关键词: | 无氰浸金液 无氰浸 金工 | ||
【主权项】:
一种无氰浸金液,其特征在于包含以下组分:柠檬酸金钾,以Au的含量计算为0.1‑3g/L;络合剂,1‑200g/L;稳定剂,0.01~5000mg/L;其余为去离子水;所述络合剂为羟基羧酸、脂肪族羧酸、有机膦酸的一种或几种的组合;所述稳定剂为含铅无机盐、含硫有机物、胺类有机物的一种或几种的组合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市精诚达电路有限公司,未经深圳市精诚达电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110121321.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理