[发明专利]半导体制程方法有效
| 申请号： | 201110122196.8 | 申请日： | 2011-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN102683280A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吴耀铨;王宝明;萧丰庆 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 刘红梅;颜涛 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体制程方法，包含下列步骤：提供一成长基板；在该成长基板上形成一半导体基板；在该半导体基板与该成长基板之间形成一第一凹凸结构；以及改变该成长基板与该半导体基板的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制程方法，包含下列步骤：提供一成长基板；在该成长基板上形成一半导体基板；在该半导体基板与该成长基板之间形成一第一凹凸结构；以及改变该成长基板与该半导体基板的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
