[发明专利]用于制备半导体器件的深结扩散方法有效
| 申请号： | 201110123196.X | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102184850A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 高占成;徐爱民;顾标琴 | 申请（专利权）人： | 润奥电子（扬州）制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 孙忠明 |
| 地址： | 225006 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 用于制备半导体器件的深结扩散方法，包括如下步骤：第一，在用作扩散源的氧化镓粉末中加入0.2-1.0g的氯化铵粉末，并放入陶瓷坩埚内；第二，将所述陶瓷坩埚和硅片一起装入石英管内，并向该石英管内冲入纯度≥99.999%的高纯氩气，然后进行封闭所述石英管的闭管工序；第三，将所述石英管转移到扩散炉内加热以进行扩散。本发明的深结扩散方法，扩散工艺操作简便，材料成本低，适于大批量生产；扩散后硅片少子寿命高，扩散后表面状态良好，适合采用批量生产大功率高电压半导体器件，而且最终正向通态峰值压降低，产品参数一致性和动态性能好，成品合格率高。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 半导体器件 扩散 方法 | ||
【主权项】：
用于制备半导体器件的深结扩散方法，其特征是，包括如下步骤：第一，在用作扩散源的氧化镓粉末中加入0.2‑1.0g的氯化铵粉末，并放入陶瓷坩埚内；第二，将所述陶瓷坩埚和硅片一起装入石英管内，并向该石英管内冲入纯度≥99.999%的高纯氩气，然后进行封闭所述石英管的闭管工序；第三，将所述石英管转移到扩散炉内加热以进行扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
