[发明专利]一种形成穿透硅通孔的方法

摘要

本发明公开了一种形成穿透硅通孔的方法，属于半导体制造、微电子封装和三维集成技术领域。所述方法包括在硅衬底正面刻蚀环形槽的步骤；对所述环形槽进行热氧化处理的步骤；在所述硅衬底正面制作电互连层的步骤；从所述硅衬底背面减薄所述硅衬底的步骤；刻蚀所述被氧化硅层封闭的环形槽内部的硅衬底，使其被全部移除，在所述环形槽内侧形成深孔的步骤；向所述深孔中填充导电材料，形成穿透硅通孔的步骤。使用本发明提供的方法能够获得同时使用高质量厚氧化硅层、金属作为侧壁隔离和导电填充材料的穿透硅通孔，提高穿透硅通孔的可靠性和电学性能。

主权项

一种形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：包括以下步骤：第一步，在硅衬底正面刻蚀环形槽；第二步，对所述环形槽进行热氧化处理，使得所述环形槽被氧化硅层封闭；第三步，在所述硅衬底正面制作电互连层，所述电互连层的底部贴于所述环形槽内部的硅衬底上；第四步，从所述硅衬底背面减薄所述硅衬底，直至被所述氧化硅层封闭的所述环形槽的背部露出；第五步，刻蚀被所述氧化硅层封闭的所述环形槽内部的硅衬底，使其被全部移除，在所述环形槽内侧形成深孔；第六步，向所述深孔中填充导电材料，形成所述穿透硅通孔。