[发明专利]高介电常数栅介质场效应晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201110123492.X | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102201447A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王浩;金迎春;叶葱;张军;汪宝元;汪汉斌 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京君智知识产权代理事务所 11305 | 代理人： | 刘秀娟 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高介电常数栅介质场效应晶体管，以及所述场效应晶体管的制作方法。其中所述高介电常数栅介质场效应晶体管包括单晶硅片衬底、导电沟道、栅介质、栅极、源极和漏极，所述栅介质是掺钛的氧化铪，所述栅极是在栅介质薄膜上溅射TiN或TiAlN作为栅极。本发明将45nm及以下节点的高介电常数栅介质、金属栅极和Cu互连金属等材料整合到了器件之中，采用了剥离工艺很大程度地减少了工艺流程，解决了Cu刻蚀困难的问题。所得器件具有优秀的输出特性，而且工作电压较低，能满足芯片制造的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 介质 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高介电常数栅介质场效应晶体管，包括单晶硅片衬底、导电沟道、栅介质、栅极、源极和漏极，其特征在于所述栅介质是高介电常数薄膜，所述高介电常数薄膜为掺钛的氧化铪，所述栅极是金属合金。
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