[发明专利]基板镶接式多晶片封装制程与构造有效
| 申请号： | 201110123653.5 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102779760A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 麻海航 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/58;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基板镶接式多晶片封装制程与构造，所述板镶接式多晶片封装制程与构造包含：一第一基板与一第二基板，第一基板的一侧边具有一第一镶嵌部，第二基板的一侧边具有一第二镶嵌部，并且第一基板的尺寸大于第二基板的尺寸；至少一记忆体晶片，其设置于第一基板上；一控制器晶片，其设置于第二基板上，其中，所述第一基板与第二基板以卡接第一镶嵌部与第二镶嵌部的方式结合；一封胶体，其形成于第一基板与第二基板上。本发明能针对不同功能晶片个别作最佳化封装制程参数与最适用材料的调整与变化并整合成同一封装构造。 | ||
| 搜索关键词： | 基板镶接式 多晶 封装 构造 | ||
【主权项】：
一种基板镶接式多晶片封装制程，其特征在于，所述基板镶接式多晶片封装制程包含：提供一第一基板与一第二基板，第一基板的一侧边具有一第一镶嵌部，第二基板的一侧边具有一第二镶嵌部，并且第一基板的尺寸大于第二基板的尺寸；设置至少一记忆体晶片于第一基板上；设置一控制器晶片于第二基板上；当记忆体晶片与控制器晶片分别设置于第一基板与第二基板之后，以卡接第一镶嵌部与第二镶嵌部的方式结合第一基板与第二基板；以及形成一封胶体于第一基板与第二基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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