[发明专利]用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺无效
| 申请号： | 201110123681.7 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102420170A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 姬峰;李磊;胡有存;陈玉文;张亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其中，在硅片的已完成的前层金属层上依次淀积一介电阻挡层、一第一介电层、一中间介电阻挡层和一第二介电层；旋涂光刻胶，光刻形成沟槽图形；干法刻蚀沟槽至第一介电层，去除光刻胶；淀积金属硬掩模，作为通孔刻蚀硬掩模；旋涂底部抗反射涂层填满沟槽；回刻底部抗反射涂层至沟槽内；旋涂光刻胶，光刻形成通孔图形；干法刻蚀，打开金属硬掩模，灰化去除剩余光阻和底部抗反射涂层；干法刻蚀，形成通孔；淀积金属阻挡层和铜籽晶层；电镀铜填满通孔和沟槽。本发明通过先沟槽后通孔并使用金属掩膜的双大马士革制造工艺达到了对通孔高深比和通孔尺寸控制进行有效控制的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 顶层 金属 沟槽 硬掩模双 大马士革 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其特征在于，在硅片的已完成的前层金属层上依次淀积一介电阻挡层、一第一介电层、一中间介电阻挡层和一第二介电层；旋涂光刻胶，光刻形成沟槽图形；干法刻蚀沟槽至第一介电层，去除光刻胶；淀积金属硬掩模，作为通孔刻蚀硬掩模；旋涂底部抗反射涂层填满沟槽；回刻底部抗反射涂层至沟槽内；旋涂光刻胶，光刻形成通孔图形；进行干法刻蚀，打开金属硬掩模，去除剩余光阻和底部抗反射涂层；进行干法刻蚀，形成通孔；淀积金属阻挡层和铜籽晶层；电镀铜填满通孔和沟槽；进行化学机械研磨，去除多余金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110123681.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
