[发明专利]一种铁酸铋基薄膜层叠结构电容器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铁酸铋基薄膜层叠结构电容器及其制备方法，该电容器从下到上依次包括底电极、衬底、缓冲层、铁电薄膜层和金属点电极，所述缓冲层为掺锰钛酸锶钡薄膜，化学式为Ba0.6Sr0.4Ti(1-x)MnxO3，x为元素锰的摩尔当量，x=0.005-0.05；所述铁电薄膜层为铁酸铋基薄膜，化学式为Bi(1-y)LnyFeO3，其中，Ln为镧系元素中的一种，y为镧系元素的摩尔当量，y=0.01-0.2。本发明制备方法简单，所得的电容器是铁电场效应晶体管的存储单元，该电容器克服了一般硅衬底上铁酸铋基薄膜电容器界面性能差、工作电压高的缺点，具有良好的存储性能。

主权项

一种铁酸铋基薄膜层叠结构电容器，从下到上依次包括底电极、衬底、缓冲层、铁电薄膜层和金属点电极，其特征是：所述缓冲层为掺锰钛酸锶钡薄膜，化学式为Ba0.6Sr0.4Ti(1‑x)MnxO3，x为元素锰的摩尔当量，x=0.005‑0.05；所述铁电薄膜层为铁酸铋基薄膜，化学式为Bi(1‑y)LnyFeO3，其中，Ln为镧系元素中的一种，y为镧系元素的摩尔当量，y=0.01‑0.2。