[发明专利]一种有机薄膜晶体管器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管器件及其制作方法，该方法包括：在衬底上制备栅电极；制备覆盖衬底和栅电极的绝缘层；在绝缘层上制备与栅电极位置重叠的光刻胶图案；在光刻胶图案两侧的绝缘层上制备源电极、漏电极；剥离光刻胶图案；制备有机半导体层。采用本发明中的方法制作的OTFT器件的源电极、漏电极与栅电极的交叠面积几乎为零，从而大大降低了器件的栅源、栅漏寄生电容，提高了OTFT器件的电特性。

主权项

一种有机薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上制备栅电极；制备覆盖所述衬底和所述栅电极的绝缘层；在所述绝缘层上制备与所述栅电极位置重叠的光刻胶图案；在所述光刻胶图案两侧的绝缘层上制备源电极、漏电极；剥离所述光刻胶图案；制备有机半导体层。