[发明专利]制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法有效
| 申请号： | 201110124857.0 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102220615A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 师文生;齐小鹏;佘广为 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体纳米材料应用技术领域，尤其涉及一种应用电化学技术制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法。本发明以载有ZnO纳米管阵列的导电玻璃作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极；以含有S粉和CdCl2的二甲基亚砜溶液作为电解液，通过对所述的工作电极和对电极之间施加恒定电流，在ZnO纳米管上电化学沉积出CdS薄膜，从而制得CdS/ZnO纳米管阵列光电极。该CdS/ZnO纳米管阵列光电极在光电化学分解水制氢领域表现出优异的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 cds zno 纳米 阵列 电极 方法 | ||
【主权项】：
一种制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法，其特征是，所述的方法包括以下步骤：(1)ZnO纳米管阵列的制备：在含有5mM Zn(Ac)2和0.1M KCl的温度为85℃的去离子水溶液中，以清洗干净的导电玻璃作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极组成三电极体系；对所述的工作电极施加‑1.0V的恒定电压，在所述的导电玻璃上得到ZnO纳米棒阵列；将生长有ZnO纳米棒阵列的导电玻璃基底浸泡于含有0.2M KOH的温度为85℃的去离子水溶液中，制得ZnO纳米管阵列；(2)CdS的电沉积：在含有S粉和CdCl2的二甲基亚砜溶液中，以步骤(1)制备得到的ZnO纳米管阵列作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极组成三电极体系；通过对所述的工作电极和对电极之间施加恒定电流，在所述的ZnO纳米管上沉积出CdS薄膜，将所述的工作电极从溶液中取出，清洗，用惰性气体吹干，得到所述的CdS/ZnO纳米管阵列光电极。
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