[发明专利]一种TFT及TFT的制造方法无效
| 申请号： | 201110125495.7 | 申请日： | 2011-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102646593A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 姜春生;王东方;龙春平;成军;刘政;石磊;梁逸南 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT的制造方法，用于改善TFT的漏电流，提高LDD掺杂精度，且制造方法简单，适用于大规模生产。所述方法为：对TFT除沟道区外的所有区域进行LDD掺杂；使TFT栅极金属的源极电极一侧及漏极电极一侧均形成金属膜；以所述金属膜为掩膜，对所述TFT源极及漏极注入第一离子。本发明还公开了用所述方法制造的TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜场效应晶体管TFT的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：对TFT除沟道区外的所有区域进行轻掺杂漏区掺杂；使TFT栅极金属的源极电极一侧及漏极电极一侧均形成金属膜；以所述金属膜为掩膜，对所述TFT源极及漏极注入第一离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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