[发明专利]一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法有效
| 申请号： | 201110125903.9 | 申请日： | 2011-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102139880A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;战丽姝;邹瑞洵 | 申请（专利权）人： | 大连隆田科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 于忠晶 |
| 地址： | 116025 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，将洗净后的多晶硅料及造渣剂均匀混合形成混合料；再预处理：将混合料放入电子束熔炼炉内的熔炼坩埚中，对熔炼坩埚进行坩埚水冷，预热电子枪；采用小束流电子束轰击混合料，混合料熔化后增大电子束至250-500mA进行熔炼，杂质硼在熔炼过程中与碱性造渣剂反应生成气体挥发而去除，冷却凝固得到低硼的多晶硅锭。本发明采用了电子束造渣熔炼的技术，结合了造渣除硼和电子束除去挥发性杂质的特点，工艺更加简单，有效将电子束与造渣工艺结合，工艺条件温和易于操作，生产周期短，节能降耗，提纯效果好，技术稳定，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 造渣 熔炼 去除 多晶 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征是：首先备料：将洗净后的多晶硅料及造渣剂均匀混合形成混合料；再预处理：将混合料放入电子束熔炼炉内的熔炼坩埚中，对熔炼坩埚进行坩埚水冷，预热电子枪；最后提纯：采用小束流电子束轰击混合料，混合料熔化后增大电子束至250‑500mA进行熔炼，杂质硼在熔炼过程中与碱性造渣剂反应生成气体挥发而去除，冷却凝固得到低硼的多晶硅锭。
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