[发明专利]一种显影后检查方法有效
| 申请号： | 201110126372.5 | 申请日： | 2011-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102789133A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 杨青;刘娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/32;G03F7/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种显影后检查方法，包括：提供基底，采用显影工艺，在所述基底表面形成图案化的光阻；获得所述光阻的尺寸数据；建立数据库，用于描述光刻工艺环境，所述数据库至少包括有所述光阻的尺寸数据，及光刻工艺参数数据；利用所述数据库建立光刻工艺模型；依据所述光刻工艺模型，并通过拟合数据库的数据和经验数据，模拟计算所述光阻的图案对应形成的基底图案的关键尺寸，并对所述关键尺寸进行检查。通过建立至少包括有光阻尺寸数据的数据库，并利用所述数据库建立光刻工艺模型，对后续的刻蚀效果进行模拟计算及检查，以在刻蚀阶段前检查出不合格的芯片，避免不合格芯片进入刻蚀阶段，提高芯片合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 显影 检查 方法 | ||
【主权项】：
一种显影后检查方法，包括：提供基底，采用显影工艺，在所述基底表面形成图案化的光阻；获得所述光阻的尺寸数据；建立数据库，用于描述光刻工艺环境，所述数据库至少包括有所述光阻的尺寸数据，及光刻工艺参数数据；利用所述数据库建立光刻工艺模型；依据所述光刻工艺模型，并通过拟合数据库的数据和经验数据，模拟计算所述光阻的图案对应形成的基底图案的关键尺寸，并对所述关键尺寸进行检查。
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